电阻是电器设备中数量最多的元件，但不是损坏率最高的元件。电阻损坏以开路最常见，阻值变大较少见，阻值变小十分少见。常见的有碳膜电阻、金属膜电阻、线绕电阻和保险电阻几种。前两种电阻应用最广，其损坏的特点一是低阻值(100Ω以下)和高阻值(100kΩ以上)的损坏率较高，中间阻值(如几百欧到几十千欧)的极少损坏;二是低阻值电阻损坏时往往是烧焦发黑，很容易发现，而高阻值电阻损坏时很少有痕迹。线绕电阻一般用作大电流限流，阻值不大。圆柱形线绕电阻烧坏时有的会发黑或表面爆皮、裂纹，有的没有痕迹。水泥电阻是线绕电阻的一种，烧坏时可能会断裂，否则也没有可见痕迹。保险电阻烧坏时有的表面会炸掉一块皮，有的也没有什么痕迹，但绝不会烧焦发黑。根据以上特点，在检查电阻时可有所侧重，快速找出损坏的电阻。

2.电解电容损坏的特点

电解电容在电器设备中的用量很大，故障率很高。电解电容损坏有以下几种表现：一是完全失去容量或容量变小;二是轻微或严重漏电;三是失去容量或容量变小兼有漏电。查找损坏的电解电容方法有：

(1)看：有的电容损坏时会漏液，电容下面的电路板表面甚至电容外表都会有一层油渍，这种电容绝对不能再用;有的电容损坏后会鼓起，这种电容也不能继续使用;

(2)摸：开机后有些漏电严重的电解电容会发热，用手指触摸时甚至会烫手，这种电容必须更换;

(3)电解电容内部有电解液，长时间烘烤会使电解液变干，导致电容量减小，所以要重点检查散热片及大功率元器件附近的电容，离其越近，损坏的可能性就越大。

3.二、三极管等半导体器件损坏的特点

二、三极管的损坏一般是PN结击穿或开路，其中以击穿短路居多。此外还有两种损坏表现：一是热稳定性变差，表现为开机时正常，工作一段时间后，发生软击穿;另一种是PN结的特性变差，用万用表R×1k测，各PN结均正常，但上机后不能正常工作，如果用R×10或R×1低量程档测，就会发现其PN结正向阻值比正常值大。测量二、三极管可以用指针万用表在路测量，较准确的方法是：将万用表置R×10或R×1档(一般用R×10档，不明显时再用R×1档)在路测二、三极管的PN结正、反向电阻，如果正向电阻不太大(相对正常值)，反向电阻足够大(相对正向值)，表明该PN结正常，反之就值得怀疑，需焊下后再测。这是因为一般电路的二、三极管外围电阻大多在几百、几千欧以上，用万用表低阻值档在路测量，可以基本忽略外围电阻对PN结电阻的影响。

4.集成电路损坏的特点

集成电路内部结构复杂，功能很多，任何一部分损坏都无法正常工作。集成电路的损坏也有两种：彻底损坏、热稳定性不良。彻底损坏时，可将其拆下，与正常同型号集成电路对比测其每一引脚对地的正、反向电阻，总能找到其中一只或几只引脚阻值异常。对热稳定性差的，可以在设备工作时，用无水酒精冷却被怀疑的集成电路，如果故障发生时间推迟或不再发生故障，即可判定。通常只能更换新集成电路来排除。

审核过程中，专家审核组对我司的质量管理体系运行情况进行了全面仔细的审查：对生产场所进行了现场察看，并对设计开发、作业工艺、质量计划、过程检验、人力资源等方面进行了文件审查和现场认证。通过三天的认证审核，专家审核组认为我司的科研生产能力、质量管理水平等均符合标准要求，现场审核获得通过。

在获得审核通过的同时，公司领导要求各部门不能满足于现状，要借外审之力，多层面、多角度提高公司检查审核能力，加强综合管理能力，确保公司TS16949:2009质量管理体系运行持续有效。

静电的基本物理特性为：吸引或排斥，与大地有电位差，会产生放电电流。这三种特性能对电子元器件的三种影响：
(a) 静电吸附灰尘，降低元器件绝缘电阻（缩短寿命）。
(b) 静电放电（ESD）破坏，造成电子。
(c) 静电放电产生的电磁场幅度很大（达几百伏/米）频谱极宽（从几十兆到几千兆），对电子产器造成干扰甚至损坏（电磁干扰）
这三种形式对元器件造成的损伤，既可能是永久性的（如功能丧失，不能恢复），也可能是暂时性的（如静电放电产生的干扰使功能暂时丧失）；既可能是突发失效，也可能是潜在失效。其中静电放电(ESD)事件是造成元器件损伤最常见和最主要的原因。

2 静电损害的特点

相对与其它应力，静电对电子产品损害存在以下一些特点：

(1) 隐蔽性
人体不能直接感知静电除非发生静电放电,但是发生静电放电人体也不一定能有电击的感觉,这是因为人体感知的静电放电电压为2－3 KV,所以静电具有隐蔽性。
(2) 潜在性和累积性
有些电子元器件受到静电损伤后的性能没有明显的下降，但多次累加放电会给器件造成内伤而形成隐患。因此静电对器件的损伤具有潜在性。
(3) 随机性
电子元件甚么情况下会遭受静电破坏呢?可以这么说，从一个元件产生以后，一直到它损坏以前，所有的过程都受到静电的威胁，而这些静电的产生也具有随机动性性。其损坏也具有随机动性性。
(4) 复杂性
静电放电损伤的失效分析工作，因电子产品的精、细、微小的结构特点而费时、费事、费钱，要求较高的技术并往往需要使用扫描电镜等高精密仪器。即使如此，有些静电损伤现象也难以与其他原因造成的损伤加以区别，使人误把静电损伤失效当作其他失效。这在对静电放电损害未充分认识之前，常常归因于早期失效或情况不明的失效，从而不自觉地掩盖了失效的真正原因。所以静电对电子器件损伤的分析具有复杂性。

3 可能产生静电损害的制造过程

元器件从生产到使用的整体过程中都可能遭受静电损伤，依各阶段的可分为：
(1) 元器件制造过程 在这个过程，包含制造，切割、接线、检验到交货。
(2) 印刷电路版生产过程 收货、验收、储存、插入、焊接、品管、包装到出货。
(3) 设备制造过程 电路板验收、储存、装配、品管、出货。
(4) 设备使用过程 收货、安装、试验、使用及保养。
(5) 设备维修过程

在这整个过程中，每一个阶段中的每一个小步骤，元件都可能遭受静电的影响，而实际上，最主要而又容易疏忽的一点却是在元器件的传送与运输的过程。在这整个过程中，不但包装因移动容易产生静电外，而且整个包装容易暴露在外界电场(如经过高压设备附近，工人移动频繁、车辆迅速移动等)而受到破坏，所以传送与运输过程需要特别注意以减少损失，避免无谓之纠纷。
所以，从元器件的制造，使用到维修的任一环节都有可能发生静电损害。

1.ESD抑制器是目前最新一代防静电产品（98年由军工转民用，现行业内已经全面铺开），由聚合物（POLYMER）电压诱变材料和高电分子材料核心制成的新型固体电子元件。其最大的特点就是物理放电无使用寿命的限制（我司承诺受30万次静电冲击次数），再加上其反应快速(<1 ns), 超低电容 (<0.15pF),超低漏电流(<1nA)，信号高保真度，损坏为开路状态以及其优异的性价比等优势，近些年来已经逐步替代传统的齐纳二极管（TVS）元件。

2.关于ESD器件的选择最关键的参数是哪些？该参数代表了什么？

1）Working Voltage (Vdc) 即ESD元件正常运行的工作电压，其作为选型的硬性指标但不是关键指标，所选的元件之工作电压只要等于或大于元件使用位置的工作电压即可，如USB的工作电压为5V，只要选等于或大于5V的ESD元件来作防护即可

2）Trigger Voltage(Vv)即ESD元件的触发电压，即电压要达到此参数元件才工作，所以此参数是衡量ESD元件灵敏度的关键因素，此参数越低越好，此参数也是POLYMER ESD工艺的难点所在。

3）Clamping Voltage(Vc) 即ESD元件的钳位电压，即元件触发后立即将高压钳制在此参数范围内后传递到地面，此参数越低越好，也是工艺的难点所在。

三种防静电产品的比较

TVS作为传统的防ESD元件，有着不可比拟的优点：钳位电压低而准，但是行业标准要求一般的芯片都要有抗2K ESD的能力，所以实际上钳位电压值显得就不那么重要了。

压敏电阻 是一种无极性过电压保护元件，无论是交流电路或直流电路，只需将压敏电阻器与被保护电器设备或元器件并联即可达到保护设备的目的。压敏电阻的缺点是易老化和电容较高，老化是指压敏电阻内的二极管元件被击穿。由于大多数情况下Ｐ－Ｎ结过载时会造成短路，依其负载的频繁程度，压敏电阻开始吸引泄漏电流，泄漏电流会在敏感的测试电路中引起测量数据误差，同时，特别是在额定电压高的电路中，会造成强烈发热。

压敏电阻的电容高（最低都在100μf以上），使它在很多情况下不能在信号传输线路中使用。电容和导线电感形成一个低通电路，会使信号极大地衰减。但频率大约在３０ｋＨｚ以下的衰减可以忽略不计。但是对于要求通过USB端口与计算机连接的大多数码产品来说，一旦连接端口的电容值大于5pf时，往往会引起数据传输出错或失败。

ESD抑制器（聚合物高分子材料）的最大缺点就是钳位电压做不到非常低，而且不能多脚共地类似于多通道TVS一样，但这并不是最重要的性能指标。

抗ESD元件最重要的性能指标应该有：

1.反应时间：因为ESD的速度是非常快的—几nS至几十nS不等,所以要求防静电元器件的反应速度也要够快，从这点而言，聚合物高分子材料的ESD抑制器是目前反应速度最快(<1 ns)的防ESD元件，而TVS基于二极管PN结的反应原理，在技术上一直没有突破这个门槛

2.使用寿命：压敏电阻因是化学工作原理，受ESD冲击的次数大概在800次左右。TVS基于二极管工作原理，受ESD冲击次数的递增（最好的约3千次静电冲击），其内阻ESR也会不断升高而导至元件吸收ESD不完全而逐渐失效，这也是为什么一般电子产品在使用一年左右就会出现问题的原因之一；而聚合物高分子材料的ESD抑制器其工作原理是物理性质的从而突破了使用寿命的限制（约30万次静电冲击的寿命），大大提高了元件的可靠性。

3.性价比：与ESD抑制器性能接近的TVS价格高出其好几倍。

ESD元件不仅要符合以上所述的ESD业界标准，还牵涉使用能在高速数据传输情况下工作的先进半导体器件。因此保护串行端口的传统方法在USB应用中将会过时或者无效。
了解USB元件的ESD防护本质，有助于明确针对USB应用的半导体器件所必需的特性：

1. 低电容(<5pf)，以减少高速速率下(480Mbps, USB 2.0)的信号衰减。

2. 快速工作响应时间(纳秒)，可以在ESD脉冲的快速上升时间内保护USB元件。

3. 低漏电电流，以减少正常工作下的功率能耗。

4. 稳固耐用，在反复性的ESD情况下仍然完好无损。